主頁(yè) 關(guān)于我們 產(chǎn)品展示 合作品牌 應(yīng)用領(lǐng)域 新聞資訊 技術(shù)中心 資質(zhì)榮譽(yù) 代理品牌 聯(lián)系我們
產(chǎn)品分類(lèi) +更多
  • 貼片電容
  • 高壓貼片電容
  • 貼片電阻
  • 貼片電感
  • 鉭電容
  • 電解電容
  • 精密電阻
  • 貼片二極管
  • 貼片三極管
  • 集成電路 IC
  • 新聞動(dòng)態(tài)

      器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝,柵極電荷為52 nC,輸出電荷為68 nC均達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平

      2019年2月21日,日前Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝的60 V TrenchFET 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率,導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%,同時(shí)柵極電荷和輸出電荷達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最低水平。

      

    Vishay推出高性能60 V TrenchFET第四代N溝道功率MOSFET

      日前發(fā)布的器件10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至1.7 mW,柵極電荷僅為52 nC,輸出電荷為68 nC,COSS為992 pF。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,這款MOSFET的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積和輸出電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù) (FOM) 分別比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

      SiR626DP改進(jìn)了技術(shù)規(guī)格,經(jīng)過(guò)調(diào)校最大限度降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。器件提高了AC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)同步整流,隔離式DC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)原邊和副邊開(kāi)關(guān)效率,適用于太陽(yáng)能微型逆變器和通信、服務(wù)器、醫(yī)療設(shè)備電源、電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理模塊的電池切換。

      MOSFET經(jīng)過(guò)100% RG和UIS測(cè)試,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素。

      SiR626DP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。產(chǎn)品供貨周期為30周,視市場(chǎng)情況而定。

    地址:柜臺(tái)地址:河北省石家莊市新華電子城2樓155號(hào)

    電話:0311-86271675

    版權(quán)所有:河北柏拓電子科技有限公司   技術(shù)支持:新鑰匙建站   備案號(hào):冀ICP備19003152號(hào)-1